MRAM

Magnetic Random Access Memory (MRAM) ist eine nichtflüchtige Speicherchip-Technologie, die seit den 90er Jahren entwickelt wird.

Im Gegensatz zu herkömmlichen Chiptechnologien werden die Informationen nicht mit elektrischen, sondern mit magnetischen Ladungselementen gespeichert. Der Vorteil dieser Technologie liegt darin, dass die Chips ihre gespeicherten Daten auch nach dem Abschalten des jeweiligen Systems behalten. Damit können Rechner und andere Geräte mit flüchtigen Speichern gebaut werden, die sofort nach dem Einschalten betriebsbereit sind.

Im Sommer 2003 wurde ein 128-kbit-MRAM-Chip vorgestellt, der mit der 0,18 Mikrometer-Technologie gefertigt wurde. Die Kerntechnologie für MRAM selbst basiert auf dem magnetischen Tunneleffekt.

Man erwartet die Serienfertigung von MRAM-Chips ab 2005, so dass sie z.B. in

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