FRAM

= FRAM - Ferroelectric Random Access Memory=

Speichertyp auf der Basis von Kristallen mit ferroelektrischen Eigenschaften. (Ferroeletrische Kristalle ähneln in ihrem Verhalten Ferromagneten) Der Aufbau entspricht dem einer DRAM Zelle, nur wird anstelle eines "normalen" Kondesators ein "ferroelektrischer Kondensator" (FC) eingesetzt. Die Ladung des Kondensators in einem DRAM wird im FRAM durch die Ausrichtung/Bewegung von positiven metallischen Atomen und negativen Sauerstoffatomen in entgegengesetzte Richtungen innerhalb des Kristalls ersetzt. Diese Bewegung bleibt stabil und kann durch ein externes elektrisches Feld, geändert bzw. ausgelesen werden.

Herstellung

Auf einem Halbleiter-Wafer wird eine dünne ferroelektrische Schicht aufgebracht, die den Gate-Isolator der sonst üblichen FET-Speicherzelle ersetzt. Die Schicht besteht aus z.B. Blei-Zirkonium-Titanat(PZT oder chemisch Pb(Zr_xTi₁-x)O₃) oder Bariumtitanat(BaTiO₃). Der Speicher- und Löschvorgang wird durch eine Polarisationsänderung in der ferroelektrischen Schicht realisiert.

Eigenschaften

   * nichtflüchtig (im Gegensatz zu DRAMs)
   * kompatibel zu den gängigen EEPROMs
   * Daten bleiben über 10 Jahre erhalten, auch bei starken Temperaturschwankungen
   * Schreibzeit ca. 100 ns (entspricht Standard-SRAM)
   * 1010 Schreib- und Lesezyklen garantiert